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市場展望－簡山傑：DRAM研發計畫不受

影響

簡山傑說，聯電短期發展策略是強化晶圓專工的核心製造技術能力，擴展8吋及12吋製程技術，切入智慧型手機相關應用領域，並導入工業4.0來提升產值。

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簡山傑認為，台灣過去DRAM的投資偏重於授權與製造，少專注在研發。台灣一直都有研發DRA

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M的機會，有足夠人才和技術基礎，只是欠缺自行開發。

「晶圓雙雄」之一的聯華電子公司，日前因涉美光「內鬼」案遭起訴，市場關注聯電未來發展；聯電總經理簡

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山傑說，相信司法會還聯電清白，強調聯電不受影響，將持續自主研發，並與大陸策略合作，有信心明年第4季完成第1階段DRAM技術開發，達成獲利及擴大市占率的策略目標。

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中期以擴大聯電市占率為目標，去年在廈門量產的12吋晶圓廠，提供大陸半導體市場全方位的技術資源與晶圓製造服務，協助客戶分散地區性風險，確保競爭優勢；長期策略則是持續致力新技術開發及應用，並拓展現有產品以外的市占率，包括物聯網、工業應用、車用和家電等應用市場。

他說，聯電14奈米良率已達客戶要求，今年第2季起開始挹注營收，未來14奈米會以創造獲利為導向。

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另28奈米進入量產後，2016年下半年占營業額20%，預計28奈米對營收貢獻，未來仍有20%的水準。

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他強調，聯電

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與大陸在DRAM技術的合作，不僅限於與既有的韓美三大DRAM廠競爭，目標是先在台灣發展自行研發DRAM的能力，把優秀人才和研發團隊根留台灣，另由大陸提供資金開發技術，力拚突破韓美重圍。

他說，聯電正按照無塵室的開發進度，持續執行DRAM研發計畫，聯電擁有許多經驗豐富的工程師，相信可成功開發DRAM技術，預計2018年第4季完成第1階段

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的技術開發工作。

商品訊息描述: 中國時報【陳志賢】

市場展望－簡山傑：DRAM研發計畫不受影響

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